ayx爱游戏体育APP下载:宏微科技2021年年度董事会经营评述

发布时间:2022-09-30 08:06:06 |来源:ayx电竞 作者:ayx体育网站登陆 Huakong Energy-Saving Protection Device

  2021年,受国产替代、碳中和等多种因素的影响,国内半导体行业进入了快速发展期。公司紧紧围绕2021年提出“提升自我能力、增强企业实力、提高产品竞争力”工作方针,继续在三化一稳定管理建设、新技术新产品开发、与战略级大客户合作等方面加大投入,产品应用结构调整步伐进一步加快。

  在部分原材料供应紧张、价格上涨的情况下,公司通过技术创新、工艺改进和精细化管理,提高了生产效率和产品的良品率。通过加强上下游协同,深化产业链战略合作,核心竞争力持续提升。报告期内,公司实现营业收入55,063.61万元,归属于上市公司股东净利润6,882.94万元,同比分别增长66.04%和158.39%。

  2021年,公司抓住市场需求旺盛和国产化替代的机遇,积极推进募投项目建设。一方面,加快引进先进的生产工艺设备,扩大产能,另一方面,加快净化厂房建设,缓解了产能缺口。截至报告期末,“新型电力半导体器件产业基地项目”及“研发中心建设项目”共计已投入12,655.24万元。其中,报告期内,6000平净化厂房项目已经投入使用,部分设备进场调试。

  2021年,公司为加快产品开发速度、提高产品开发成功率、加强产品开发阶段质量管控,在产品研发阶段导入了项目管理。并在公司内部多场合、多频次宣贯“目标管理、进度管理、预算管理”的意识,强调“通过团队协作,加速新品和新技术开发、产品迭代”的理念,通过“产品需求管理、产品概念策划、项目目标和计划评审、项目立项评审、项目阶段评审、项目验收考核”等一系列措施的环环相扣,使得2021年度研发项目按时完成率和目标达成率较往年有较大的提升。聚焦公司主营业务方向、服务于中长期业务发展需求,公司在重点应用领域(如电动汽车、光伏)、重点客户、新市场积极布局新产品开发,通过市场调研、应用分析、联合下游客户合作,持续筛选出经济效益较好、市场竞争力较强、技术含量高,创新性高,填补市场空白的产品开发需求。为加强和提升产品开发阶段的设计开发质量、过程开发质量管理,公司以汽车产品质量管理IATF16949体系中五大工具(APQP、FMEA、PPAP、MSA、SPC)为切入点,梳理了APQP五个阶段的输入与输出文件,使得项目开发过程中紧密围绕产品质量管理的主线,重点强化了DFMEA、PFMEA、CP、SOP的信息对齐与贯通,提高了产品开发阶段全过程质量意识及重要性。

  基于项目管理的产品开发模式,公司通过明确项目目标、进度管理、预算管理,明确了项目开发各个阶段的工作内容及输出物,设立了项目里程碑,在各个关键阶段组织评审,评审阶段目标&工作完成情况、问题点关闭情况是否达到预期要求,能否满足进入下个阶段工作的条件。

  实施项目管理以来,设计开发阶段的变更得到了有效的控制、产品质量先期策划(APQP)的深入度得到了加强、开发阶段的风险项和问题点识别愈发细致。项目团队人员专业化程度、职业化素养、人员的积极性得到较大的提升,“目标结果为导向、成本和经营意识、项目时间的紧迫性”逐步地深入到各个部门中,团队协作的意识得到加强。

  报告期内,公司根据年度研发计划以及市场需求情况展开技术及产品研发工作,根据项目要求配置先进设备,按项目特点和需求合理配置研发团队,加强对外合作,充分利用公司研发资源,

  提升公司的自主创新能力和研发水平,巩固和保持公司产品和技术的领先地位,取得了一定成效。报告期内,公司主要取得的研发成果如下:

  1.成功推出第五代微沟槽结构的M5i650V和1200V快速系列IGBT单管产品,性能可对标业界最先进水平,相比上一代整体性能提升约15%,丰富了公司在光伏领域的产品组合,目前该系列产品已完成客户端的验证导入,并实现批量交付。

  2.第七代微沟槽M7iIGBT已完成芯片技术平台的开发和验证,同等规格的芯片性能可媲美业界最先进水平,对应的成品也已获得客户验证并正在进行系列化的拓展和生产。

  3.第六代M6dFRD芯片已完成技术平台的验证,相比上一代性能提升的同时,其鲁棒性更高,可靠性更好。目前正在系列化的导入、拓展和批量交付。

  4.第七代M7dFRD芯片配合M7iIGBT芯片的开发已完成配套的研发制样,整体性能逼近于业界先进水平。

  5.完成2款定制化商用电动车电控用IGBT模块的开发,顺利交付给客户端,获得客户PSW回签,产品逐步上量交付。

  6.完成乘用电动车电控用SiC模块及封装技术的预研和样品制作,定制化车乘用电动车电控用SiC模块开发进度加快,完成样品的交付。

  7.完成3款定制化用于新能源领域的SiCMOS模块产品的开发,通过客户验证,产品逐步上量交付。

  8.与公司A在光伏领域IGBT产品方面开展深入合作,完成多款产品的开发,产品实现批量交付。

  公司自设立以来一直从事IGBT、FRED为主的功率半导体芯片、单管和模块的设计、研发、生产和销售,并为客户提供功率半导体器件的解决方案,IGBT、FRED单管和模块的核心是IGBT和FRED芯片,公司拥有诸多具有一定先进性的相关知识产权。公司主营业务中的单管完全采用自研芯片,模块产品以自研芯片为主外购芯片为辅。IGBT、FRED作为功率半导体器件的主要代表,是电气与自动化、电力传输与信息通信系统中的核心器件。在当前复杂而严峻的国际形势下,积极推动我国功率半导体材料、芯片、封测的国产化进程具有极其重大的意义,而研发和生产自主可控的IGBT、FRED芯片及模块已成为国家战略新兴产业发展的重点。

  目前,公司产品已涵盖IGBT、FRED、MOSFET芯片及单管产品100余种,IGBT、FRED、MOSFET、整流二极管及晶闸管等模块产品400余种,公司产品应用于工业控制(变频器、电焊机、UPS电源等),新能源发电(光伏逆变器和风能变流器)、电动汽车(电控系统、空调系统和充电桩)等多元化应用领域,公司产品性能与工艺技术水平处于行业先进水平。

  自设立以来,公司持续专注于功率半导体领域相关产品的研发及制造,在发展中建立了适合企业自身的经营模式。

  公司建立了以客户需求为导向的研发体系,制定了《项目立项管理办法》、《产品质量先期策划控制程序》、《设计和开发控制程序》等研发流程控制文件,研发流程主要包括立项、产品设计与开发、过程设计与开发、产品试生产、产品量产五个阶段,各个研发项目均由产品质量先期策划(APQP)小组承接项目,每个阶段均由专门的评审委员会进行评审。

  公司的原材料主要包括芯片、DBC基板、铜底板、焊料、铝铜线、外壳及电源模组元器件等,其中芯片的采购主要通过自主研发设计并委托芯片代工企业制造加工,以及向英飞凌等国外生产厂商直接采购两种方式;其他材料主要通过选取至少两家合格供应商比价采购的方式。公司采用订单采购的采购模式,对于生产中常用的直接物料,由计划部门根据销售订单或销售预测通过ERP系统提交采购请求,由采购部根据供应商的交货周期进行下单;对于偶然所需的临时物料,由需求部门填写《请购单》提出请购需求,通过公司OA系统逐层提交至公司管理层审批,通过后由采购部负责统一采购。

  公司具备完善的生产运营体系,主要采取“以销定产”的生产模式,由运营办公室综合考虑市场需求、原材料供应和产能情况制定生产计划,公司产品的生产具体可分为两种模式:自产模式和委托加工模式。

  公司模块和电源模组产品均采用自产模式,通过自有生产线对功率半导体芯片进行模块化封装与测试,最终形成功率模块。公司的模块产品可分为标准品和定制品,公司的标准品主要依据产品电压、电流等规格,设计生产出通用的不同系列的产品,并向客户销售;定制品主要系公司与客户在技术层面深度合作,设计生产的产品以满足客户的特殊需求。公司定制化产品分成量产前及正式量产后两个阶段。量产前,公司按客户要求进行生产工艺设计及样品试制和可靠性测试,公司按照研发过程中投入的原材料、人工成本、测试费等为基础向客户收取技术服务费;量产后,公司按照客户的设计方案、技术指标要求,组织生产并批量提供产品。

  公司采取Fabess模式,对于芯片及单管产品生产采用委托加工模式。公司专注于芯片的研发和设计,将设计好的芯片委托给芯片代工企业制造,目前公司已经与华虹宏力、华润华晶等芯片代工企业建立了长期稳定合作关系,其中华虹宏力负责IGBT芯片代工业务,华润华晶负责FRD芯片代工业务。公司利用芯片代工企业强大的芯片生产能力来满足公司单管和模块中的芯片需求,实现产品链的一体化构建。由于国内从事单管产品封装厂家较多,公司将单管产品的封装与测试环节委托给华羿微电子股份有限公司、天水华天电子集团股份有限公司、南通华达微电子集团股份有限公司、威海日月光、无锡市玉祁红光电子有限公司、无锡德力芯半导体科技有限公司等进行代工。

  公司销售采取了直销为主、经销为辅的方式。在直销模式下,公司通过网络宣传、派出经验丰富的营销和技术团队进行业务走访、参加国内外各种行业展会和学术交流会议等方式向下游客户介绍公司产品、了解客户需求、推荐使用方案并展开销售活动;在经销模式下,公司通常与营销能力较强且具备一定专业知识、行业经验和市场资源的经销商合作,利用经销商的渠道和经验拓展客户资源,扩大市场占有率。

  功率半导体分立器件为半导体行业的主要组成部分,更是发电、输电、变配电、用电、储电等领域的基础核心部件。

  功率半导体的下游应用领域十分广泛,且需求持续稳定增长。除了消费电子、通信、计算机、工业控制、汽车电子等传统领域,近年来,功率半导体器件在电动汽车/充电桩、新能源发电、智能电网、轨道交通、变频家电等诸多新兴应用领域中得到广泛的应用,随着“碳中和”战略的推进,功率半导体器件将迎来一个高速发展时期。

  半导体行业属于技术、资本和人才密集型行业,无论是技术研发还是产线建设都需要大量的资金投入。公司目前正面临电动汽车、新能源发电等下游新兴产业带来的市场机遇。公司在未来发展和争取市场机遇过程中需投入大量的资金来进行产品及工艺的研发、产能的提升和研发人才的引进。

  自上世纪80年代IGBT产品开启工业化应用以来,一直为国外知名公司所垄断,国外知名公司的产品系列化很全,应用面很广,其中英飞凌已实现各种电压范围IGBT覆盖,三菱、富士电机、安森美也涵盖了多个电压区间。近年来,IGBT技术经历了丰富的演变,涌现出不同的IGBT技术方案,这些方案主要由英飞凌、三菱电机和富士电机等海外厂商主导推动。海外厂商IGBT的结构设计仍在不断突破和创新,先后推出了沟槽栅场阻断结构、微细槽栅结构、侧栅结构、鳍状基区结构等新技术,推动了IGBT应用和市场发展。同时IGBT的制造工艺也在持续创新,深沟槽、精准掺杂、深度扩散、超薄片以及质子注入等多种工艺的引入形成了较高的技术壁垒,制造技术也成为实现IGBT自主创新的关键。近几年来,国内IGBT无论是在芯片设计方面还是在芯片制造和封装方面虽有突破但与国外相比仍有不少差距。

  公司致力于功率半导体芯片、单管、模块及电源模组研发与生产。公司曾荣获“新型电力半导体器件领军企业”、“苏南国家自主创新示范区瞪羚企业”、“PSIC2019中国电动汽车用IGBT最具发展潜力企业称号”和“中国电气节能30年杰出贡献企业”等荣誉称号。2011年,公司的“75-100A/1200-1700V”高压大电流平面型“NPTIGBT”系列产品,经江苏省经信委、常州市科技局等组织专家鉴定达到国际同类产品的先进水平,其中1200V产品部分主要性能指标超过国际同类产品的先进水平;“2-200A/200-1200V”超快速软恢复外延二极管(FRED)芯片性能指标达到国际同类产品的先进水平。公司“超快软恢复外延型二极管(FRED)系列产品”、“一种新型的NPTIGBT结构”分别于2012年和2015年荣获中国半导体行业协会等授予的“中国半导体创新产品和技术奖”。2015年,公司“高压大电流高性能IGBT芯片及模块的产业化”项目获得江苏省人民政府“江苏省科学技术奖三等奖”,“一种新型的NPTIGBT芯片和模块的开发及产业化”项目获得中国电源学会科学技术奖一等奖。公司通过技术创新、产品外延等手段不断延伸产品线,能够满足不同终端客户对产品的技术参数和性能多样性的需求,具有一定的市场占有率和较强的品牌影响力。公司凭借可靠的产品质量和优质的服务与众多知名企业客户保持了良好的商业合作关系,同时依托龙头客户产生的市场效应不断向行业内其他企业拓展。

  在工业控制领域,公司目前已经成为台达集团、汇川技术300124)、英威腾002334)、合康新能300048)等多家变频器行业知名企业,松下、佳士科技300193)、奥太集团、上海沪工603131)等多家电焊机行业知名企业。

  在新能源发电领域,公司主要客户有A公司、阳光电源300274)、固德威、格瑞瓦特、禾望、盛弘股份300693)、科士达002518)、科华等多家知名企业,市场份额不断扩大。

  在电动汽车领域,公司产品主要用于电控系统和空调系统,主要客户有比亚迪002594)、长城汽车601633)、汇川、臻驱科技等多家知名企业。充电桩应用的主要客户有英飞源、英可瑞300713)、优优绿能、特来电等知名企业。

  3.报告期内新技术、新产业300832)、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势

  公司所处细分行业为功率半导体行业,基于硅衬底的功率半导体器件目前仍然是主流,并将在未来相当一段时间内占据主要市场。公司IGBT产品在微细槽栅结构设计和工艺上得到了突破;FRD产品在反向恢复速度和恢复软度的协调及可靠性方面得到了突破。所研发的IGBT和FRD产品成功批量应用于光伏逆变器和电动汽车电控系统中。

  随着第三代功率半导体器件,如SiC和GaN器件日益成熟并走向市场。功率半导体的技术发展朝着晶圆尺寸更大,芯片功率密度更高,损耗更低,集成度更高以及封装体积更紧凑,高可靠性更高的方向发展。

  在光伏发电以及电动汽车等产业发展的带动下,国内功率半导体产业得到了蓬勃发展并推动了众多关键技术的突破。在这些领域中,除了IGBT器件得到了广泛的应用和拓展,SiC器件由于高转换效率、高开关频率、高应用结温等自身优势和特点,也越来越多地得到了认可和应用。公司在SiC芯片和封装方面也进行了布局,SiC模块已经批量应用于新能源行业。

  为了匹配这些应用场景的需求,功率器件的封装技术需要不断的改善和创新,以应对高结温、高开关频率、高可靠性的要求。因此,传统的钎焊加引线键合技术的工艺框架难以满足某些特殊使用要求。银烧结技术作为钎焊技术的替代方案,可以更好的发挥SiC器件的性能,提高其功率循环寿命,更适应于高温的工作环境。公司在此方面已掌握了相关技术,并在相关的模块封装产品中得以批量生产应用。

  报告期内,公司根据年度研发计划以及市场需求情况展开技术及产品研发工作,根据项目要求配置先进设备,按项目特点和需求合理配置研发团队,加强对外合作,充分利用公司研发资源,提升公司的自主创新能力和研发水平,巩固和保持公司产品和技术的领先地位,取得了一定成效。报告期内,公司主要取得的研发成果如下:

  (1)公司成功推出基于微沟槽M5i的650V和1200V快速系列光伏IGBT单管产品,性能可对标业界最先进水准,相比上一代整体性能提升约15%,丰富了公司在光伏单管领域的产品组合,目前该系列产品已完成客户端的验证导入,正批量交付。

  (2)第七代微沟槽IGBTM7i已完成芯片技术平台的开发和验证,同等规格的芯片性能可对标业界最先进水准,对应的成品也已获得客户的初步验证;目前正在进行系列化的拓展。

  (3)推出400A/750V车用6单元IGBT模块,并成功通过客户认证,已进入小批量交付阶段。

  (4)完成820A750V车用6单元IGBT模块产品设计定型及客户认证,相关产品已完成全自动模块生产线的导入工作,为大批量订单交付做好了准备。

  (5)完成1500A/1200VSiC模块的设计开发,并通过客户端测试验证,相比IGBT模块,SiC模块的电能转换效率明显提升。

  (6)完成两款工控客户定制IPM模块的设计开发,产品已完成工艺定型、上机测试和相关可靠性验证,明年有望开始大批量交付。

  研发费用较上年同期增加64.74%,主要系公司在研项目有序推进,研发费用随各项目合理投入所致。

  IGBT作为一种功率半导体器件,是国际上公认的电力电子技术第三次革命最具代表性的产品,是工业控制及自动化领域的核心元器件,属于国家战略高新技术及核心关键技术。公司专注于功率半导体器件的研发和技术创新,始终坚持“关注需求、赋予价值、成就品牌”的研发理念,以技术自主创新为根基,以研发持续投入为保障,建立了完善的研发体系和强大的研发团队。公司已具备并掌握先进的IGBT、FRED芯片设计能力、工艺设计能力、模块的封装设计与制造能力、特性分析与可靠性研究能力、器件的应用研究与失效分析能力。公司自主研发设计的芯片是公司模块产品具有高性价比的主要竞争力之一。经过十多年的技术沉淀和积累,公司已在IGBT、FRED等功率半导体芯片、单管和模块的设计、封装和测试等方面积累了众多优秀核心技术。其中芯片领域的核心技术主要包括微细沟槽栅、多层场阻断层、虚拟元胞、逆导集成结构等IGBT芯片设计及制造技术;软恢复结构、非均匀少子寿命控制技术等FRED芯片设计及制造技术;高可靠终端设计等高压MOSFET芯片设计及制造技术等。

  公司致力于功率半导体芯片、单管及模块研发、生产和销售,公司产品集中应用于工业控制(变频器、电焊机、UPS电源等),部分产品应用于新能源发电(光伏逆变器)、电动汽车(新能源大巴汽车空调、电动汽车电控系统、电动汽车充电桩)等多元化领域。

  目前,公司产品已涵盖IGBT、FRED、MOSFET芯片及单管产品100余种,IGBT、FRED、MOSFET、整流二极管及晶闸管等模块产品400余种,公司产品性能与工艺技术水平处于行业先进水平。

  公司凭借可靠的产品质量和优质的服务与众多知名企业客户保持了良好的商业合作关系,同时依托龙头客户产生的市场效应不断向行业内其他企业拓展。在工业控制领域,公司目前已经成为台达集团、汇川技术、英威腾、合康新能等多家变频器行业知名企业,佳士科技、奥太集团、上海沪工等多家知名电焊机行业知名企业。在新能源发电领域,公司主要客户有盛弘股份、科士达、英可瑞、A公司等众多知名企业,市场份额不断扩大。在电动汽车领域,公司产品主要用于电控系统和空调系统,主要客户有比亚迪、汇川、臻驱科技等多家知名企业。充电桩应用的主要客户有英飞源、英可瑞、优优绿能、特来电等知名企业。

  (二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施

  功率半导体器件行业技术不断升级,持续的研发投入和新产品开发是保持竞争优势的关键。公司现有的技术存在被新的技术替代的可能。如国内外竞争对手推出更先进、更具竞争力的技术和产品,而公司未能准确把握行业技术发展趋势并制定新技术的研究方向,或公司技术和产品升级迭代的进度跟不上行业先进水平,新产品研发失败,将导致产品技术落后、公司产品和技术被迭代的风险。

  产品中的核心原材料中自研芯片采用Fabess模式委托芯片代工企业生产,外购芯片主要采购英飞凌等芯片供应商。如果公司主要芯片代工供应商产能严重紧张或者难以通过供应商采购芯片,则可能导致公司产品无法及时、足量供应,进而对公司的经营业绩产生不利影响。

  随着公司改扩建项目的投产使用,在建工程将陆续转为固定资产,将会导致固定资产折旧费用的增加。若公司未来因面临低迷的行业环境而使得经营无法达到预期水平,则固定资产投入使用后带来的新增效益可能无法弥补计提折旧的金额。

  报告期内,公司主营业务毛利率为21.81%,公司原材料的成本占成本的比例超过60%,受2021年原材料价格上涨因素的影响以及募投项目投产后,资产折旧摊销会出现较快增长。如果未来公司产品技术优势减弱、市场竞争加剧、市场供求形势出现重大不利变化、采购成本持续提高或者出现产品销售价格持续下降等情况,将导致公司综合毛利率下降。

  国际市场上,经过60余年的发展,以英飞凌、安森美、意法半导体为代表的国际领先企业占据了全球半导体分立器件的主要市场份额。同时,国际领先企业掌握着多规格中高端芯片制造技术和先进的封装技术,其研发投入强度也高于国内企业,在全球竞争中保持优势地位,几乎垄断工业控制、新能源、电动汽车等利润率较高的应用领域。

  国内市场较为分散,市场化程度较高,各公司处于充分竞争状态。我国目前已成为全球最大的半导体分立器件市场,并保持着较快的发展速度,这可能会吸引更多的竞争对手加入从而导致市场竞争加剧,公司如果研发效果不达预期,不能满足新兴市场及领域的要求,公司市场份额存在下降的风险。

  公司产品主要应用于工业控制、新能源、电动汽车等行业,如果宏观经济波动较大或长期处于低谷,上述行业的整体盈利能力会受到不同程度的影响,半导体行业也将随之受到影响,从而对公司的销售和利润带来负面影响。

  2021年公司实现营业收入55,063.61万元,同比增加66.04%;实现归属于母公司所有者的净利润6,882.94万元,同比增长158.39%;实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润4,297.51万元,同比增长87.23%。六、公司关于公司未来发展的讨论与分析

  IGBT是国际上公认的电力电子技术第三次革命具代表性的产品,是工业控制及自动化领域的核心元器件,能够根据电力电子装置中的控制信号来调节电路中的电压、电流、频率、相位等,以实现精准调控的目的。IGBT核心技术包括IGBT芯片设计、生产以及IGBT模块的设计、封装测试及可靠性等。IGBT芯片由于其工作在大电流、高电压、高频率的环境下,对芯片的可靠性要求较高,同时芯片设计需根据具体应用场景协调器件导通、开关和短路能力三者关系,芯片设计与工艺参数调整优化十分特殊和复杂。IGBT芯片设计是功率半导体器件产业链中对研发实力要求较高的环节,近几年来国内已有少数企业的技术实力逐步赶上国际主流先进企业水平。

  工业控制领域是功率半导体最大的市场,IGBT在工业控制领域有广泛的应用,应用场景包括变频器、逆变焊机、电磁感应加热、工业电源等。根据集邦咨询数据,2019年全球工业控制IGBT市场规模约为140亿元,其中我国工业控制IGBT市场规模约为30亿元,预计到2025年全球工业控制IGBT市场规模将达到170亿元。

  在国际节能环保的大趋势下,IGBT下游的电动汽车、新能源发电等领域发展迅速,对IGBT模块需求逐步扩大,新兴行业的加速发展将持续推动IGBT市场的快速增长。

  IGBT模块在电动汽车领域中发挥着至关重要的作用,是电动汽车电机控制器、车载空调、充电桩等设备的核心元器件。

  根据中国汽车工业协会公布的数据,2020年我国电动汽车分别生产136.6万辆和销售136.7万辆。随着电动汽车市场的快速发展和智能驾驶技术的应用,电动汽车中以IGBT为代表的功率半导体器件产品的需求量有望进一步提升。同时,电动汽车中的功率半导体价值量提升十分显著,根据英飞凌年报显示,电动汽车中功率半导体器件的价值量约为传统燃油车的5倍以上。其中,IGBT约占电动汽车电控系统成本的37%,是电控系统中最核心的电子器件之一,因此,未来电动汽车市场的快速增长,有望带动以IGBT为代表的功率半导体器件的需求量显著提升,从而有力推动IGBT市场的发展。

  根据中国电力化工网的数据,2020年全球光伏发电装机容量将达736.62GW,同比增长20.48%,我国光伏发电装机容量继续保持快速增长,2020年累计装机有望达516GW,同比增长50%,装机容量位居世界第一。由于新能源发电输出的电能不符合电网要求,需通过光伏逆变器或风电变流器实现直流电和交流电之间的转换并改善输出电能的质量以达到符合电网要求的交流电后并入电网。IGBT是光伏逆变器和风力发电逆变器的核心器件,新能源发电行业的迅速发展将成为IGBT行业持续增长的全新动力。

  根据智研咨询数据,自2015年以来,我国IGBT自给率超过10%并逐渐增长,预计2024年我国IGBT行业产量将达到0.78亿只,需求量约为1.96亿只。总的来看,我国IGBT行业仍存在巨大供需缺口。基于国家相关政策中提出核心元器件国产化的要求,IGBT器件将成为“国产替代”的主力军之一。

  SiC器件由于其禁带宽、导热绿高和耐击穿能力强,相比Si基器件,非常容易实现高结温、低损耗、高开关频率,适合于新能源发电及电动汽车等应用场景,市场规模增长快速。根据IHS数据,受电动汽车行业庞大的需求驱动,以及光伏风电和充电桩等领域对于效率和功耗要求提升的影响,预计到2027年SiC功率器件的市场规模将超过100亿美元,2018-2027年的复合增速接近40%。

  公司专注于功率半导体领域,坚持“以客户为中心,以创新为驱动,以人才为根本”的发展理念,始终追求通过自主创新,设计、研发、生产国际先进IGBT、FRED、单管及其模块,打造具有影响力的民族品牌。公司现已掌握核心的IGBT、FRED芯片设计、制造、测试及可靠性技术,开发出IGBT、FRED芯片及单管产品100余种,IGBT、FRED、整流二极管及晶闸管等模块产品400余种,电流范围从3A到1000A,电压范围从60V到2000V,产品类型齐全。

  目前,公司与国外知名品牌在技术水平、系列化和规模化生产能力上还存在一定差距,因此公司未来将不断加大研发投入,追赶国外领先技术,借鉴先进经验,同时借助资本市场的力量,整合更多的上下游资源,引进更多的国内外功率半导体高端人才,以研发生产出更高效、高可靠性的功率半导体器件,为国内整机应用客户提供更优质的产品。

  公司将以芯片为核心,以模块为基础,以应用方案为牵引,努力建成国内先进的功率半导体芯片设计中心,国际先进的功率半导体模块封装生产基地,打造功率半导体产业链,使公司发展成为国内新型功率半导体器件和模块解决方案的领军企业,提高公司的市场规模,能够在国际上具有突出竞争力和影响力。

  为实现建成国内先进的功率半导体芯片设计中心,国际先进的功率半导体模块封装生产基地的发展目标,公司主要从产品开发、产能提升、市场开拓和人才引进四个方面采取相关措施:

  (1)进一步提升公司在工业控制、家用电器领域的通用优势产品的性能、一致性及稳定性,提高客户端市场占有率,提高市场份额。

  (2)针对新能源、光伏领域用Si基器件,加大研发投入,深入开展标准品系列化和定制化产品研制;

  (1)针对现有生产场地,导入制造企业生产过程执行管理系统,加强对制程工艺的监控和跟踪,加强品质管控;持续进行自动化改造,提升工序产出效率;加强车间管理,提升生产作业人均产出。

  (2)针对新厂房建设,积极协调多部门联动,加快推进公司新型电力半导体产业基地建设,并尽快投入使用。

  (1)对工控和家用电器领域,依托现有的销售团队,实施片区负责制,搭建高效的营销网络,有效的对市场的动态预测和客户实际需求进行分析。以点线面的模式进行营销活动,以常州总部为中心,重点围绕华东、华南、华北和西南四个销售区域进行深耕细作,深入挖掘客户需求并解决客户痛点。同时利用公司技术实力及品牌优势,积极开拓国际市场。

  (2)对电动汽车和新能源发电市场,以产品线模式进行端到端的运营,加强和客户之间的深度沟通,深入了解客户端的应用场景,必要时为客户定制产品,进一步拓宽产品形态和业务模式,扩大市场占有率。

  结合公司实际经营需要建设流程化组织,对现有团队人员结构进行了优化,持续增大公司研发团队规模,增强研发能力,多渠道引入国内外专业人才。在引入外部人才的同时,还要十分关注对企业内部人才的培养和提升,一方面公司设立导师培养机制,组织芯片、模块研发,市场应用骨干人员,对普通技术人员进行专业基础知识、器件测试、应用分析等方面的培训;另一方面与部分高校合作开设CAD制图、仿真软件等培训课程,构建了传帮带的良好氛围,极大地提升了技术人员的专业技能,同时增强了人员的稳定性。为了进一步激发技术人员对行业前沿技术的关注度,一方面,公司每年组织技术人员赴国内外参与行业性学术会议、产品展会,拓宽眼界。另一方面公司每年都会邀请国内外专家来公司进行交流培训和经验分享。

  (1)针对电动汽车与新能源发电领域用Si基器件,加大研发投入,深入开展标准产品和定制化产品研发

  (2)利用高电流密度IGBT芯片和封装技术进一步提升公司在工业控制、家用电器等领域的标准产品和定制化产品的性能、一致性及稳定性;

  (1)公司以新型功率半导体器件产业基地建设项目为契机,进行更高水平的自动化和信息化的生产线建设,引入百余台/套国内外先进功率半导体生产、测试设备,建设多条功率器件封装、测试线质量体系进行管理。采用ERP、MES和WMS等信息化系统对生产过程和仓储进行控制和管理。投产后新增模块产能达到年产340万只。

  (2)未来三年,公司通过产品优化升级、生产自动化、信息化作业水平提升等方式,将产品整体质量水平控制在模块200PPM以内,单管20PPM以下。

  (1)以自研IGBT芯片为突破口,提高IGBT单管和模块的性价比,加大IGBT单管和模块的销售力度,加强与战略客户的合作,扩大IGBT在电焊机、变频器和电源市场的销售份额,大幅度增加IGBT器件在新能源领域的销量,力争实现具有自主知识产权的芯片在公司模块产品中的覆盖率达到90%以上。

  (2)加大电动汽车领域IGBT和SiC产品的研发力度和产品的推广强度,为客户提供高性能、高可靠的车规级产品,实现国产替代。

  (3)加大新能源发电市场的产品推广,扩大标准品销售市场规模,加强定制化产品与整机应用端的合作。

  (4)巩固公司的FRD器件在充电桩、UPS电源、电焊机、开关电源的领先地位,进一步扩大整流二极管的市场份额。

  (5)进一步加强定制化IPM模块的先发优势,扩大定制产品的类型和应用领域,提高产品的竞争力。

  (1)公司将加快对各方面优秀人才的引进和培养,同时加大对人才的资金投入并建立有效的激励机制,确保公司发展规划和目标的实现。首先,公司将继续加强员工再培训,加快培育一批素质高、业务能力强的芯片及模块设计人才、管理人才。

  (2)公司将加大外部人才的引进力度,尤其是国内外的行业技术专家、管理经验杰出的高端人才等,保持核心人才的竞争力。

  (3)公司将通过建立多层次的激励机制,充分调动员工的积极性、创造性,提升员工对企业的忠诚度。

  2022年公司将继续聚焦公司主营业务方向、着眼于中长期业务发展需求,在重点应用领域(如电动汽车、光伏)、重点客户、新市场积极布局新产品开发,通过市场调研、技术开发、应用研究、与下游应用客户协同合作,持续不断地推出经济效益好、市场竞争力强、技术含量高,创新性高,填补市场空白的功率半导体器件产品。

  充分利用公司650V/750V、1200V、1700V自主芯片产品的性能优势、成本优势、交付优势,在变频器、电梯控制器、伺服器、电焊机、电源等领域持续发力,提高现有客户的采购份额,不断开发新客户,加大海外市场的开拓力度,提高客户黏度和市场占有率。同时,继续坚持以技术为驱动,以客户为中心,加强和客户之间的技术和产品合作,不断研发出具有市场竞争力、性价比高的产品。

  为纯电动、混动动力等汽车客户提供电机控制器用全功率段的车规级IGBT模块,并为高端车型提供车规级SiC模块。目前已和多家整车厂和电机控制器厂展开合作并批量提供车规级标准产品和定制化IGBT和SiC模块产品。

  在当下节能减排需求和长期碳中和战略目标的牵引下,公司将抓住光伏发电、风力发电以及储能市场快速发展的历史机遇,把握好功率半导体器件国产化加速的市场机会,进一步保持公司在新能源发电领域IGBT产品的技术优势,加快新能源领域功率半导体器件产品的系列化,不断提高市场份额。

  持续加大新一代IGBT和FRD芯片研发力度,结合技术发展和市场需求,进一步丰富基于第七代微沟槽TrenchField-Stop技术的IGBT芯片和与其相匹配的快恢复二极管芯片的产品系列。

  加大研发投入,以客户需求为导向,开发出更多的新能源领域用和车规级SiC功率模块并实现规模生产。同时,公司将加大SiC芯片的研发投入,尽快推出具有市场竞争力的具有自主知识产权的SiCSBD和MOSFET芯片。

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